800V 电气架构的革新将促使耐高压 SiC 功率器件全面替代 Si IGBT，进而成为主驱逆变器标配，因此 SiC 深受车企追捧Tier1 厂商 Delphi 已率先实现 800V SiC 逆变器量产，BorgWarner，ZF，Vitesco 相继跟进目前来看，车载充电器和 DC—DC 转换器组件对 SiC 器件的应用已经相对成熟，而基于 SiC 的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段
本站获悉，由于上游 SiC 衬底材料环节制程复杂，技术门槛高，晶体生长缓慢，因此现阶段用于功率器件的 N 型 SiC 衬底仍以 6 英寸为主，8 英寸很少。今日，集邦咨询发布报告称，智能手机市场第三季度的生产总数有7%的季增幅，全球总产量约25亿支，但其季成长幅度和整体生产表现都不及去年同期。。
